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快科技 12 月 19 日音问，据报谈开云体育，俄罗斯已公布自主开垦 EUV（极紫外光刻）光刻机的道路图，指标是比 ASML 的光刻机更低廉、更容易制造。

据悉，俄罗斯的自主光刻机领受 11.2nm 的激光光源，而非 ASML 模范的 13.5nm。这种波长将与现存的 EUV 竖立不兼容，需要俄罗斯开垦我方的光刻生态系统，这可能需要十年或更永劫刻。

包括电子想象自动化（EDA）器具也需要进行更新。固然现存 EDA 器具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本要领，但波及曝光的关键制程，如光罩数据准备、光学附进革命（OPC）和分手率增强时刻（RET），则需要再行校准或升级为安妥 11.2nm 的新制程模子。

该形势想象由俄罗斯科学院微结构物理商议所的 Nikolay Chkhalo 指点，成见是制造性能具竞争力且具老本上风的 EUV 光刻机，以招架 ASML 的竖立。

Chkhalo 默示，11.2nm 波长的分手率提升了 20%，不错提供更精采的细节，同期简化想象并裁汰光学元件的老本。

这种调度显赫减少了光学元件的浑浊，延迟了收罗器和保护膜等关键部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能发扬。 尽管该光刻机产量仅为 ASML 竖立的 37%，因为其光源功率仅 3.6 千瓦，但性能足以应答小边界芯片坐蓐需求。

据报谈，俄罗斯光刻机的开垦责任将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础商议、关键时刻识别与初步元件测试。

第二阶段将制造每小时可惩处 60 片 200 毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片坐蓐线。

第三阶段的指标是打造一套可供工场使用的系统，每小时可惩处 60 片 300 毫米晶圆。

当今还不明晰其光刻机将复古哪些制程时刻，道路图也未提到各阶段完成的时刻表。

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